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Ga‐Ga‐Mehrfachbindungscharakter in Na 2 [Ga(GaTrip 2 ) 3 ] und ein Vergleich mit dem neutralen Ga(GaTrip 2 ) 3 (Trip=2,4,6‐ i Pr 3 C 6 H 2 )
Author(s) -
Wehmschulte Rudolf J.,
Power Philip P.
Publication year - 1998
Publication title -
angewandte chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
eISSN - 1521-3757
pISSN - 0044-8249
DOI - 10.1002/(sici)1521-3757(19981116)110:22<3344::aid-ange3344>3.0.co;2-a
Subject(s) - materials science , crystallography , chemistry
Über das Ga 4 ‐Gerüst delokalisiert sind die beiden Elektronen in Na 2 [Ga(GaTrip 2 ) 3 ], die bei der Oxidation zu Ga(GaTrip 2 ) 3 abgegeben werden. Die Ga‐Ga‐Bindungslänge verlängert sich dabei um 0.08 Å. Ar=2,4,6‐ i Pr 3 C 6 H 2 (Trip).