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Kristallstrukturen von NH 4 GaF 4 und NH 4 GaF 4 · NH 3
Author(s) -
Roos Meike,
Meyer Gerd
Publication year - 1999
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/(sici)1521-3749(199911)625:11<1843::aid-zaac1843>3.0.co;2-6
Subject(s) - octahedron , tetragonal crystal system , crystallography , gallium , monoclinic crystal system , chemistry , crystal structure , single crystal , organic chemistry
Bei der Oxidation von elementarem Gallium mit NH 4 F entstehen bei 350 °C Einkristalle von NH 4 GaF 4 (tetragonal, I4/mcm, Z = 4, a = 527,1(1), c = 1281,6(3) pm, isotyp zu NH 4 AlF 4 ). Es liegt eine Schichtstruktur vor, in der Schichten aus eckenverknüpften [GaF 6 ]‐Oktaedern und isolierten Ammonium‐Tetraedern längs [001] gestapelt sind. Einkristalle von NH 4 GaF 4 · NH 3 entstehen aus Gallium mit NH 4 HF 2 bei 300 °C (monoklin, I2/m, Z = 4, a = 745,2(2), b = 676,7(2), c = 976,0(3) pm, β = 105,52(4)°). Durch den Einbau eines Äquivalents NH 3 wird die Schichtstruktur von NH 4 GaF 4 aufgebrochen; es entsteht eine dichteste Stabpackung aus Ketten, die alternierend aus [GaF 6 ]‐ und [Ga(NH 3 ) 2 F 4 ]‐Oktaedern aufgebaut sind. In die Zwischenräume werden isolierte NH 4 + ‐Ionen eingelagert.