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BiGaIn 2 S 6 – Synthese, Struktur und Eigenschaften
Author(s) -
Kalpen Heiko,
Grin Yuri,
Schnering Hans Georg von
Publication year - 1998
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/(sici)1521-3749(199810)624:10<1611::aid-zaac1611>3.0.co;2-9
Subject(s) - chemistry , crystallography , crystal structure , stereochemistry , structure type
Im quaternären System Bi–Ga–In–S wurde die neue Verbindung BiGaIn 2 S 6 in Form rot‐transparenter Plättchen erhalten. Sie besitzt eine Phasenbreite zwischen BiGa 1 In 2 S 6 und BiGa 0.8 In 2.2 S 6 . Die Verbindung ist ein Halbleiter mit E g (opt.) = 1.9 eV. – BiGaIn 2 S 6 kristallisiert monoklin in einem neuen Strukturtyp (a = 1112.0 pm, b = 380.6 pm, c = 1228.0 pm, β = 116.30°, Z = 2, Raumgruppe P 2 1 / m , Nr. 11). In stark gewellten 2 D‐Fragmenten von (hc) 2 ‐Kugelpackungen der S‐Atome besetzen die In‐Atome Oktaederlücken ( d (In–S) = 262 pm) und die Ga‐Atome Tetraederlücken ( d (Ga–S) = 234 pm) im Inneren der 2 D‐Schichten. Die Bi‐Atome an der Spitze von trigonalen BiS 3 ‐Pyramiden ( d (Bi–S) = 265 pm) liegen auf der Peripherie der Schichten und werden zusätzlich von vier weit entfernten S‐Liganden aus der benachbarten Schicht koordiniert ( d (Bi–S) = 319 pm). – Die Bindungsverhältnisse eines Bi III ‐Sulfids werden erstmals mit Hilfe der Elektronen‐Lokalisierungs‐Funktion (ELF) analysiert.