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Die neuen Antimonide ZrNiSb und HfNiSb: Synthese, Struktur und Eigenschaften im Vergleich zu ZrCoSb und HfCoSb
Author(s) -
Kleinke H.
Publication year - 1998
Publication title -
zeitschrift für anorganische und allgemeine chemie
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.354
H-Index - 66
eISSN - 1521-3749
pISSN - 0044-2313
DOI - 10.1002/(sici)1521-3749(199808)624:8<1272::aid-zaac1272>3.0.co;2-p
Subject(s) - antimonide , chemistry , crystallography , crystal structure , stereochemistry , organic chemistry
Die Antimonide ZrNiSb und HfNiSb wurden durch Aufschmelzen im Lichtbogenofen von stöchiometrischen Mischungen aus Zr, ZrSb 2 und Ni, beziehungsweise aus Hf, HfSb 2 und Ni, hergestellt. Im Unterschied zu ZrCoSb und HfCoSb (LiAlSi‐Typ) treten ZrNiSb und HfNiSb im TiNiSi‐Strukturtyp auf. Die Gitterparameter betragen für ZrNiSb: a = 672.7(2) pm, b = 416.43(8) pm, c = 753.8(1) pm, V = 211.16(7) × 10 6 pm 3 und für HfNiSb: a = 662.3(5) pm, b = 413.3(3) pm, c = 746.8(8) pm, V = 204.4(3) × 10 6 pm 3 (Raumgruppe Pnma ). Während in der Struktur von ZrCoSb keine Zr–Zr‐Kontakte < 400 pm vorliegen, sind Zr–Zr‐Bindungen in der Struktur von ZrNiSb zu finden. Dieser Unterschied läßt sich auf das zusätzliche Valenzelektron des ZrNiSb zurückführen. Die strukturellen Unterschiede zwischen ZrCoSb und ZrNiSb gehen mit signifikanten Unterschieden in den elektronischen Strukturen und physikalischen Eigenschaften einher: ZrNiSb zeigt im Gegensatz zum Nichtleiter ZrCoSb metallisches Verhalten.