FG-FET Berbasis Film Ag2O Untuk Pendeteksian H2S

0 0 1 147 838 elyaprilia@yahoo.co.id 6 1 984 14.0 96 800x600 Normal 0 false false false EN-US JA X-NONE Film Ag2O XE " Film Ag 2 O " telah ditumbuhkan pada top electrode Si/Ti/Pt dengan evaporasi termal. Proses evaporasi dilakukan pada tekanan 2 × 10-2 mbar dalam atmosfir oksigen sintetis. SEM digunakan untuk menganalisa struktur permukaan film. Top electrode dilekatkan pada chip FG-FET XE " FG-FET " untuk membentuk sebuah sensor XE " sensor " gas yang sensitif terhadap H2S XE " H 2 S " . Karakterisasi yang meliputi uji temperatur, konsentrasi, kelembaban dan selektivitas dilakukan untuk mengetahui kehandalan sensor. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa FG-FET berbasis film Ag2O dapat mendeteksi H2S pada konsentrasi rendah dengan temperatur operasi optimum 95°C dalam keadaan kering maupun lembab. Penambahan klaster Fe XE " Fe " pada permukaan film Ag2O dapat meningkatkan unjuk kerja sensor yang ditandai dengan peningkatan sinyal keluaran sensor. Keywords: FG-FET XE " FG-FET " , Film Ag 2 O XE " Film Ag 2 O " , Fe XE " Fe " , Fungsi Kerja XE " Fungsi Kerja " , H 2 S XE " H 2 S "