Schottky diyot tabanlı UV detektörlerde seri direnç etkileri

Bu calismada GaN tabanli UV algilayici GUVA S12SD Schottky diyotun sicaklik bagimli akim – voltaj karakteristikleri seri direnc etkileri yonunden incelenmistir.  Bu amacla FPGA tabanli, basit ve dusuk maliyetli bir olcum sistemi hazirlanarak, basariyla kullanilmistir.  Sonuclar, aygitin akim iletim mekanizmasinin termiyonik yayilimla aciklanabilecegini gostermektedir.  Seri direnc hesaplari icin iki farkli yontem kullanilmis ve birbiri ile buyuk uyuma sahip sonuclar elde edilmistir.  Idealite faktoru ve seri direncin sicaklik bagimliligindan, ara yuzeydeki durumlarin ve buradaki yuk tasiyicilarinin aygit karakteristikleri uzerinde etkin oldugu belirlenmistir.