The Electrical Characterization Effect of Insulator Layer between Semiconductor and Metal

Metal-yalitkan-yariiletken (MIS) aygitlar elektronik ve optoelektronikteki onemlerinden dolayi calisilmaktadir. Bu onem aygitlarin yuksek dielektrik sabitine, depolama tabakasi ve kapasitans ozelliklerine sahip olmalarindan kaynaklanmaktadir. Bu yuzden Si 3 N 4 tabakasi p-tipi Si uzerine PECVD teknigi kullanilarak buyutulmus, kalinligi elipsometre ile 5 nm olarak olculmustur ve Al kontak sayesinde MIS yapisi elde edilmistir. Elde edilen Al/p-Si yapisi uzerine Si 3 N 4 tabakasinin etkisi arastirilmistir. Bunun icin aygitin elektrik karakterizasyonlari ileri ve ters beslem I-V , C–V ve G-V olcumleriyle yapilmis ve yalitkan Si 3 N 4 tabakanin diyot ozelliklerini oldukca etkiledigi gorulmustur. Ara yuzey halleri ( N ss ), seri direnc ( R s ) ve diger bazi elektriksel parametrelerin aygit uzerine etkileri I-V ve C–V olcumlerinden hesaplanarak arastirilmistir. C-V olcumlerinden aygitin memristor bir yapi gibi davrandigi tespit edilmistir