Asimetrik Çift Delta Katkılı GaAs Yapılarında Altbantlar Arası İkinci Derece Doğrusal Olmayan Geçişler

Bu calismada, homojen bir katkilama dagilim modeli icin asimetrik cift delta katkili kuyularda ikinci mertebeden harmonik uretim katsayisi arastirilmistir. Asimetrik cift delta katkili kuyulara sahip GaAs yapisinin potansiyel profili, alt bant enerji seviyeleri, dalga fonksiyonlari ve yuk yogunluklari gibi elektronik ozellikleri, Schrodinger ve Poisson denklemlerinin kendi icinde tutarli hesaplamalariyla belirlenmistir. Bu calismada kullanilan parametrelere gore,  katki konsantrasyonu icin alt bantlar arasi gevseme suresi  olan yapidaki ikinci mertebeden harmonik uretim katsayisinin pik degerinin, katki konsantrasyonu 5  olan yapidaki  suresiyle ayni oldugu gorulmektedir. Ayrica, 1 nm verici dagiliminin kalinligi icin, olan bu harmonik uretim katsayisinin pik degeri, verici dagilim kalinligi 8 nm icin yaklasik  ile ayni davranisa sahiptir. Alt bantlar arasindaki ikinci derecedeki dogrusal olmayan gecislerin yapisal parametrelerine bagimliligi, foto-dedektorlerin ve optik modulatorlerin potansiyel degisimleri icin oldukca onemlidir. Kuantum foto-elektronik cihazlarin gelecekteki arastirmalarinda bu yapilarin onemli bir yeri olacaktir.