hBN-SiC KOMPOZİTLERDE SICAKLIĞIN SiC TANE BOYUNUNA ETKİSİ

Bu calismada hekzagonal bor nitrur- silisyum karbur (hBN-SiC) kompozit sentezinde sicakligin SiC tane boyutu uzerine etkisi arastirilmistir.  Numunelerin SPS ile 1700 o C, 1800 o C, 1900 o C ve 2000 o C’de farkli sicakliklarda 50MPa basinc altinda 15dak sinterleme islemi gerceklestirilmistir. Sinterleme sicakliginin SiC tane boyutu uzerine etkisinin belirlenmesi icin ImageJ programi ile tane boyut olcumleri gerceklestirilerek normal dagilim fonksiyonu ile tane boyut dagilimlari tespit edilmistir. 1700 o C’den 1900 o C’ye sicaklik artirildiginda h-BN miktarinda %0,9’luk bir artis gozlenmistir ve 2000 o C’de ise degismemistir. SiC ortalama tane boyutu 1700 o C’den 2000 o C’ye sicaklik artirildiginda 1,09µm’den 1,96µm’ye artmistir. Tane boyut dagilimlarinin standart sapma degerleri ise 1700 o C’de 0,445 iken 2000 o C’de 0,812 degerine arttigi gozlenmistir. Sicakliga bagli olarak tane boyut dagilimi artmaktadir. hBN fazinin guclu kovalent baglari ve plaka seklinde yapiya sahip olmasindan dolayi hBN’nin zayif sinterlenebilitesi nedeniyle SiC tane buyumesini yavaslattigi soylenebilir.