Effect of annealing on the Structure of thermal evaporated In2S3 thin films

Structural studies on In2S3 thin films deposited by vacuum thermal evaporation on glass substrates at a temperature of 240C, followed by annealing at 330°C and 400°C are presented. It was shown that the films were of amorphous in nature before annealing and after annealing the films became polycrystalline and showed βIn2S3 structure. The grain size increased and followed the usual crystal growth process as the annealing temperature increased. The annealing-induced changes of surface roughness were characterized by atomic force microscopy. Streszczenie. Przedstawiono wyniki badania struktury cienkich warstw In2S3 naniesionych metodą termicznego osadzenia na szkło w próżni w temperaturach od 240C i kolejnym wygrzewaniem w temperaturach 330C i 400C. Ustalono że warstwy miały amorficzną naturę przed wygrzewaniem, po wygrzewaniu wykazywały strukturę polikrystaliczną typu β-In2S3. Rozmiar ziaren powiększał się na skutek aktywnej nuklearyzacji i to przyczyniało się do zwykłej krystalizacji ze wzrostem temperatury. Zmiany zostały przeanalizowane za pomocą AFM. (Wpływ obróbki temperaturowej na termicznie naparowane cienkie warstwy In2S3). Słowa kluczowe: In2S3, cienkie warstwy, XRD widma, Raman widma, AFM obraz powierzchni