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Etude de la dissolution photoanodique de GaAs-n dans un electrolyte constitue d'une solution d'EDTA 0,1M, a pH 5, ou la formation d'oxyde peut se produire sous intensite lumineuse plus elevee. Etude a l'aide de mesures d'impedance de l'influence de l'illumination et de la formation du film sur la charge et la distribution du potentiel de l'electrode. Mise au point d'un modele tenant compte des etats de charge positive a l'interface semiconducteur-oxyde

Surface Charging Effects during Photoanodic Dissolution of n ‐ GaAs Electrodes