Etude de l'effet de la température de dépôt ou de recuit sur la formation de l'interface Au/GaSb(100) par diffraction d'électrons lents et spectroscopies d'électrons Auger ou de pertes d'énergies

Nous étudions par spectroscopie d'électrons Auger (SEA), spectroscopie de pertes d'énergies d'électrons lents (SPEEL) et diffraction d'électrons lents (DEL), l'adsorption de l'or sur des surfaces (100) de couches de GaSb obtenues au laboratoire par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sur des substrats de GaSb, puis transférées pour dépôt et étude dans l'enceinte à ultravvide de dépôt métallique par l'intermédiaire d'un sas sous ultravide. Les mesures sont effectuées avant et après dépôts d'or (6 × 1013–1,8 × 1016 atomes cm-2) réalisés sur un substrat à la température ambiante ou refroidi à 220 K. Les échantillons sont ensuite étudiés pendant lerecuit jusqu'à 520 K. Les résultats obtenues montrent que l'or, dans un premier temps s'adsorbe sur la surface, puis, lorsque le dépôt augmente, diffuse dans le volume du matériau. cette diffusion, qui peut s'acompagner de la formation d'alliages, n'est cependant notable dans la gamme de température utilisée que pour des dépôts supérieurs à 1015 atomes cm-2