Краевые фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах

В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования краевыхфотогальванических эффектов в двумерных кристаллах. Продемонстрировано, что возбуждениедвумерной структуры электромагнитным излучением приводит к генерации направленногоэлектрического тока вдоль геометрической границы структуры; полярность тока зависит отполяризации излучения. Обсуждаются механизмы генерации краевого фототока для различныхспектральных диапазонов, соответствующих как межзонным, так и внутризонным оптическимпереходам в структурах на основе графена и других двумерных дираковских материалах. Показанавозможность многократного усиления фотоотклика в системах с латеральной сверхструктурой.Обсуждаются также эффекты генерации фототоков в киральных и спиральных краевых каналахдвумерных топологических изоляторов.Разработанная теория хорошо описывает зависимости фототока от поляризации излучения имагнитного поля, наблюдаемые на графеновых системах, и показывает, что краевой фотогальванический эффект может доминировать в фотоэлектрическом отклике микроструктур.