Влияние водорода на термоэлектрический сигнал напряжения в слоистой структуре Pt/WO-=SUB=-x-=/SUB=-/6H-SiC/Ni/Pt

Установлена возможность детектирования H 2 по регистрации сигнала термоэдс, который возникал между поверхностями пластины 6H-SiC толщиной 400 mum. Рабочая поверхность пластины модифицировалась за счет нанесения газочувствительной пленки WO x и каталитической Pt. На тыловой поверхности пластины создавался омический контакт (Ni/Pt), и эта поверхность поддерживалась при стабилизированной температуре 350 o C. Градиент температуры по толщине пластины возникал за счет охлаждения рабочей поверхности воздушной средой. Подача H 2 в эту среду до концентрации 2% вызывала 15-кратный рост термосигнала, что заметно превышало отклик системы Pt/WO x /SiC/Ni/Pt, регистрируемый традиционным способом измерения вольт-амперной зависимости. При этом для регистрации термоэдс не требовался дополнительный источник питания. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44943.16619