Open AccessРадиационно-индуцированный гальванический эффект, наблюдаемый в интерфейсе металл-диэлектрик
Author(s) -
В.И. Зайцев,
И.А. Барыков,
А.В. Карташов,
О.В. Терентьев,
Н.Б. Родионов
Publication year - 2016
Publication title -
письма в журнал технической физики
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7471
pISSN - 0320-0116
DOI - 10.21883/pjtf.2016.22.43941.16377
Subject(s) - physics , materials science
Исследуется эффект, наблюдающийся при взаимодействии электромагнитного излучения (энергия квантов 25-1000 eV) с диэлектриком, имеющим металлическое покрытие. Источником излучения служил мегаамперный Z-пинч. Измерения, проведенные с образцами оптического стекла, показали, что под действием излучения (мощность ~10 6 W/сm 2 ) в электрической цепи, включающей металлизированный диэлектрик, возникает ток. Авторы считают, что причиной данного гальванического эффекта является генерация в диэлектрике горячих" электронов.
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom