Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/delta<Mn>

Проведено исследование циркулярно-поляризованной люминесценции светоизлучающих структур InGaAs/GaAs с дельта-легированным слоем Mn в GaAs барьере. Выполнено варьирование параметров структур: однородное и дельта-легирование акцепторной примесью, удаление донорного легирования из технологического процесса. Получено, что величина и знак степени циркулярной поляризации люминесценции существенно зависят от выбранного технологического режима. Одномерное моделирование волновых функций структур выявило хорошее согласие между параметрами циркулярно-поляризованной люминесценции и пространственным распределением волновых функций тяжелых дырок относительно дельта-слоя Mn. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания. Проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 16-07-01102\_а), гранта (МК-8221.2016.2) Президента Российской Федерации. DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45051.18k