Open AccessУправление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/delta<Mn>
Author(s) -
Е. И. Малышева,
М. В. Дорохин,
П.Б. Дёмина,
А. В. Здоровейщев,
А. В. Рыков,
M. V. Ved,
Ю.А. Данилов
Publication year - 2017
Publication title -
fizika tverdogo tela
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7498
pISSN - 0367-3294
DOI - 10.21883/ftt.2017.11.45051.18k
Subject(s) - manganese , gallium arsenide , materials science , optoelectronics , chemistry , metallurgy
Проведено исследование циркулярно-поляризованной люминесценции светоизлучающих структур InGaAs/GaAs с дельта-легированным слоем Mn в GaAs барьере. Выполнено варьирование параметров структур: однородное и дельта-легирование акцепторной примесью, удаление донорного легирования из технологического процесса. Получено, что величина и знак степени циркулярной поляризации люминесценции существенно зависят от выбранного технологического режима. Одномерное моделирование волновых функций структур выявило хорошее согласие между параметрами циркулярно-поляризованной люминесценции и пространственным распределением волновых функций тяжелых дырок относительно дельта-слоя Mn. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания. Проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 16-07-01102\_а), гранта (МК-8221.2016.2) Президента Российской Федерации. DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45051.18k