Open AccessУстойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
Author(s) -
А.А. Лебедев,
В.В. Козловский,
М.Е. Левинштейн,
Д.А. Малевский,
Roman A. Kuzmin
Publication year - 2022
Publication title -
физика и техника полупроводников
Language(s) - Russian
Resource type - Journals
eISSN - 1726-7315
pISSN - 0015-3222
DOI - 10.21883/ftp.2022.08.53150.9891
Subject(s) - chemistry , materials science
Accelerating Research
Robert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom
Address
John Eccles HouseRobert Robinson Avenue,
Oxford Science Park, Oxford
OX4 4GP, United Kingdom