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Epitaxial Deposition of GaAs in the Ga(CH 3 ) 3 AsH 3 H 2 system (II). Investigations on the Hetero‐Epitaxy of GaAs on Ge
Author(s) -
Gottschalch V.,
Petzke W.H.,
Butter E.
Publication year - 1974
Publication title -
kristall und technik
Language(s) - German
Resource type - Journals
SCImago Journal Rank - 0.377
H-Index - 64
eISSN - 1521-4079
pISSN - 0023-4753
DOI - 10.1002/crat.19740090404
Subject(s) - epitaxy , materials science , deposition (geology) , analytical chemistry (journal) , chemistry , crystallography , nanotechnology , organic chemistry , geology , layer (electronics) , paleontology , sediment
Durch Pyrolyse von Ga (CH 3 ) 3 AsH 3 H 2 wurden GaAs‐Epitaxieschichten auf (111)‐, (110)‐ und (100)‐Ge‐Substraten abgeschieden. In dieser Arbeit wird der Einfluß der Wachstumsbedingungen und des Gitterunterschiedes von GaAs und Ge auf die Qualität der GaAs‐Epitaxieschichten beschrieben und diskutiert. Die Epitaxieschichten wurden durch chemisches ätzen, Röntgenuntersuchungen und durch Betrachten der Oberflächenmorphologie charakterisiert.