English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Plus monthly

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Free Plan

The analytical and numerical calculations of electron and hole spectra\udrenormalised by L- and I-phonons taking into account the configurational\udinteraction are performed for the QD embedded into semiconductor medium\udexemplified by GaAs/AlxGa₁₋xAs nanoheterosystems.\udIt is established that for the nanosize QDs the shifts of electron and hole\udground levels are created by the interaction of these quasiparticles with Land\udI-phonons due to all the states of discrete and continuous spectrum.\udFor the small QDs, the shifts of ground energy levels have strong nonlinear\uddependences while for the big QDs, they almost do not depend on QD radius\udand have the magnitude close to the shifts of ground levels in massive\udcrystal creating QD. Due to the different effective masses of light and heavy\udholes, the splittings of their ground levels are the complicated functions on\udQD radius and Al concentration in AlxGa₁₋xAs medium.У роботі виконано аналітичний і чисельний розрахунки перенормування L- та I-фононами електронного та діркового спектрів з повним\udврахуванням конфігураційної взаємодії у квантовій точці, що вміщена\udв напівпровідникове середовище. Конкретний розрахунок виконано\udдля гетеросистеми GaAs/AlxGa₁₋xAs.\udУстановлено, що зсуви основних рівнів електрона та дірки формуються взаємодією цих квазічастинок як з L-, так і з I-фононами за участю всіх станів дискретного та неперервного спектрів. При малих розмірах КТ зсуви основних енергетичних рівнів квазічастинок мають сильно нелінійну залежність, а при великих радіусах КТ вони практично\udне залежать від розміру КТ та близькі за величиною до зсувів основних рівнів у масивному кристалі, з якого утворена КТ. Через різницю\udефективних мас важкої та легкої дірок розщеплення їх основних рівнів має складну залежність від радіуса КТ та концентрації Al (x) у середовищі AlxGa₁₋xAs

ELECTRON- AND HOLE-PHONON INTERACTION IN QUANTUM DOT EMBEDDED INTO SEMICONDUCTOR MEDIUM (GaAs/Al_{x}Ga_{1-x}As)