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Zur Realisierung von Drucksensoren ist die Wandlung der druckbedingten mechanischen Verformung einer Membran in ein elektrisches Signal unerlasslich. Im Rahmen des Artikels werden hierfur innovative Moglichkeiten zur monolithischen Integration in Silicon-on-Insulator, kurz SOI-Substrat aufgezeigt. Diese ermoglichen neben der Einsparung von Herstellungskosten die Senkung des Energieverbrauches. Die Wandlung der mechanischen Spannung in ein elektrisches Signal erfolgt mittels eines Transistors und nicht wie in konventionellen Losungen durch beispielsweise die Verstimmung einer Wheatstone‘schen-Bruckenschaltung oder eine Kapazitatsanderung. Zur weiteren Senkung der Kosten findet ebenfalls die Betrachtung von konventionellem Silizium Substrat statt, wobei der Fokus auf der Optimierung einer im Niedertemperaturverfahren abgeschiedenen amorphen Siliziumschicht liegt.

P9.4 - Alternative Konzepte zur Integration und zum Auslesen von Drucksensoren