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シリコン(Si)デバイスの微細配線材料に銅が用いられるよ うになり,水溶液からの Si基板上への金属析出が半導体産 業において重要な技術となっている 。これにともない,Si 上への金属の電気化学析出に関する研究が活発に行われてい る 。一方,Si電極へ貴金属微粒子を修飾すると,溶液 -半導体接合の高い光起電力を保ちながら,その電極触媒能 や安定性などが向上し,高効率湿式太陽電池が得られる 。 我々は,これまでに n-Si上へのダブルポテンシャルステッ プ(DPS)法による白金電析を行い,前段の電位パルスによっ て析出粒子数を,後段の定電位電析の通電量によって粒子サ イズを制御することに成功し,これらと太陽電池特性の関係 を明らかにした 。また,フッ化水素酸(HF)を含む金属塩 水溶液からの貴金属微粒子の無電解置換析出において,金属 の種類や Siの表面状態によって析出粒子数が大きく変化す ることを明らかにした 。本研究では,白金(Pt),金(Au), パラジウム(Pd)について,n-Si上への DPS電析を試み,めっ き液中での置換反応が析出粒子数に影響を及ぼしていること を見いだした。

Influence of Displacement Reaction on Electrodeposition of Noble Metal Particles on n-type Silicon