English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Мощные транзисторы на широкозонных полупроводниках находят широкое применение в системах преобразования и коммутации электроэнергии. Однако процессы деградации и факторы, влияющие на их надëжность и электрические характеристики, изучены не в полной мере. В работе рассмотрены вопросы повышения предельно допустимого напряжения на стоке транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN за счëт введения второго барьерного слоя AlGaN. Ключевые слова: GaN – нитрид галлия, спонтанная и пьезоэлектрическая поляризация, контакт Шоттки, затвор, буферный и барьерный слой Сведения об авторах: Максимов Анатолий Нестерович; Краснов Андрей Андреевич, a_krasnov_a@mail.ru; Ивашко Артём Игоревич, аспирант, ivashko_ai@pulsarnpp.ru; Ледовских Антон Павлович; Крымко Михаил Миронович, к.т.н., krymko@pulsarnpp.ru; Корнеев Сергей Викторович, korneev@pulsarnpp.ru; Синкевич Владимир Фëдорович, д.т.н., профессор, sinkevich@pulsarnpp.ru

THE IMPACT OF THE SECOND BARRIER LAYER AlGaN ON THE PARAMETERS OF THE POWER HEMT