English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

В статье определены пределы электрической совместимости процессов ионной и электронной проводимости ультратонкого диэлектрика цифровых и аналоговых микросхем со сложной архитектурой компонентов при приближении к экстремальным нагрузкам. Превышение критических значений электрических полей, кумулятивной энергии, концентрации подвижного заряда на неоднородностях архитектуры отнесены к кондуктивным помехам в диэлектрических плёнках. Ключевые слова: электронная, ионная проводимость оксида кремния в цифровых и аналоговых устройствах, моделирование проводимости оксида кремния с неоднородной границей, кондуктивные помехи Сведения об авторах: Перов Геннадий Васильевич, к.т.н., доцент, mef@ngs.ru; Синица Анна Вячеславовна, kuldir88@mail.ru

PARAMETERS OF EXTREME ELECTRICAL STRESS IN ULTRATHIN FILMS OF SILICON OXIDE WITH INHOMOGENEOUS BLOCKING EDGE