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Modelo de Shockley-Read-Hall (SRH) La derivación original de SRH se realizó para semiconductores ordenados donde en los estados dentro del gap son discretos. El modelo de SRH considera la presencia de cuatro procesos básicos entre las trampas y las bandas de estados extendidos: (1) captura de un electrón desde la banda de conducción, (2) emisión de un electrón hacia la banda de conducción, (3) captura de un hueco desde de la banda de valencia, (4) emisión de hueco hacia la banda de valencia.

STUDY OF THE SCOPES AND THE VALIDITY OF THE SIMMONTAYLORS APPROACH IN THE MODELING OF DISORDERED SEMICONDUCTOR DEVICES