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一般的に カル コゲン系化合物 は物理的 ,化 学的性質 の 特異性に起因する ことで機能性材料 と して興味が持たれ てい る.特 に カル コゲ ン系化 合 物半 導 体 で あ るGaS (硫化 ガ リュウム)はIII-VI族 の層状構造を もつ化 合物半 導体であ り,光 導電性素子,圧 力 センサ ー,非 線形素子 の材料 としての応用 が期待 されてい る.こ れ までの研究 ではBridgcman, Transport reaction等 の方法に よって作 製 したGaSバ ル ク結 晶 の物 性解 析 が行 わ れ て きて い る1,2).最近 で はGa原 子 とS原 子 の化 学量論 比 の調整 が比較的容易なMOCVD法 を用いてGaS結 晶薄膜 の研 究が進 め られて い る3,4).しか し,GaS薄 膜を電 子デバ イスに応用す るには工業化 プロセス技術 の開発が必要で あ る. 本研究は光電素子や光 センサ ーへの応用性 を鑑み簡便 な成膜 プ ロセスである電子 ビーム蒸着 に よ りIII-VI族化 合物半導体 であ る層状 性GaS薄 膜 を石英基板上 に作製 し,XRD,ラ マ ンスペ ク トル,可 視紫外 分光等の測定か ら膜構造や基礎物性を評価 した.

Layered Semiconductor GaS Thin Film Prepared by Electron Beam Deposition Method