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圧力 センサ としては近年半導 体Si単 結晶を利用 した セ ンサが広 く普及 してい るが1),こ のセ ンサを500kg/ cm2程 度 の高圧力用 と して利用す る場合,セ ンサ部 であ るSiと 流体圧力 をセ ンサに導入す る支持台 との接続部 で剥離を生ず るなどの問題がある.そ こで最近支持台 と セ ンサ部 を一体 に した圧 力セ ンサの開発 が行われ てい る.ス テ ンレス支持台に直接歪セ ンサを作製 しなければ な らないので薄膜 の歪 センサが必要である.最 近では ア モル フ ァスSi(あ るいはマイ クロ クリス タ リンSi)薄 膜 に よる圧力 セ ンサが開発 されてい る2).こ のセ ンサは ケージファクターが大 き く,抵 抗率 も高いのでセンサ と して適 してい るが,ア モル フ ァスSiは 半導体 であ るの で抵 抗の温度係数 が大 きい.ま たアモル フ ァスSi歪 セ ンサはシランガスを利用 して プラズマCVDあ るいは光 CVDに よって作製す る必要が あ り,高 周波マ グネ トロ ンスパ ッタ法 で作 製 したa-Si膜 では十分 なゲー ジフ ァ クターが得 られなか った. そ こで抵抗温 度係数(TCR)が 比較 的小 さ くて,ゲ 一 ジ フ ァ ク タ ー が 大きい といわれ てい るCr薄 膜3)を取 り上 げてその圧力セ ンサ としての可能性について検討 し た.Crは 金属で抵抗 が小 さいので現在使 用 してい るセ ンサ用回路 との整合性を考 える ともっと抵抗を上げる必 要がある.そ こで酸素を導入 してスパ ッタす ることに よ り抵抗を上 昇させ る試みを行 ったのでそ の結果について 報告す る.

CrOx Thin Films Prepared by DC Sputtering Method and its Possibility to Pressure Sensor.