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窒化 アル ミニウム(AlN)は,高 熱伝導率,電 気絶縁 性を有 し,化 学的 ・熱 的に も安定な 皿一V族 化 合物 であ るため,半 導 体デバイス,電 子材料へ の応用が注 目され て い る.そ の薄膜 の作製 に関 して従来,CVD法1,2), MOCVD法3,4),MBE法5,6),ス パ ッタ リング法7,8),イ オンプ レーテ ィング法9,10)等種 々の手法が用 い られ てい る. イオ ンプ レーテ ィン グ法 は,CVD法 に比べ低温 プロ セ スであ るためにアル ミ基板へ の薄膜形成方法 と しては 有効な手法であ るが,膜 形成 におけるパラメータの 自由 度が多 く,一 般 に最適 の成膜条件 を探索す るのに,作 製 した膜の性質を分析 した後 に,成 膜条件 にフ ィー ドバ ッ クす る方法が とられ,膜 特性 と作製条件 の相関を把握す るのに時間を要する.そ こで,我 々は膜特性 と密接な関 係にあ る膜形 成過程 を解 明す る ことに より,最 適 な成膜 条件を探索で きるのではないか と考 え,イ オ ンプ レーテ ィング中の放電空間中のイオ ンを分析 して,こ れを基に 成膜条件 と膜 特性の相関を最適化す ることを試みた. 本研究では,イ オ ンプレーテ ィング法 による薄膜形成 技術 と して,膜 形 成過程 に大 きな影響 を与 えると考え ら れ るイ オ ンの挙動 を解析 す る ことに よ り,AIN膜 の作 製方法,作 製Lた 膜 の構造 さ らにその膜形成 の機構につ いての考察を行 ったので報告す る. 2. 実 験

Formation of AlN films by ion plating.