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電子衝撃脱離 の実験方法 は電 子衝撃 によって生 ずる表 面の物理 的または化学的 な変化 を直接検出す る方法 とそ れに伴 って脱離す る粒子(イ オ ン,中 性粒子,準 安定粒 子)を 検 出す る方法 との二つ に区分で きる.以 下に これ らの方 法及び特長 について述べ る.入 射電子には試料 の 状態 が影響 を受 けない よ うな 微 少 電 流(10-6~10-4A /cm2)を 用い るが,特 に電子衝 撃効果 を調 べ る 際 に は 10-4A/cm2以 上 の電 流 を用い ることがある.測 定 は全 て 到達圧力が1×10-9 Torr以 下の 超高真空装置 を 用 いて 行 な う2). 2.1 表面状態の変化 を直接検 出する方法 これは電子衝 撃 とフラッシ ュ脱離法,仕 事関数測定, 電界 電子放射 法,低 速 電子線 回折法,オ ージ ェ電 子分光 法等 とを組 合せた方法 である.こ れ らの方法で測定 した 物理 的 または化学的変化量 の定量的解釈 を行 な う場合 に は変 化量 が 影響 を受 けた 表面被 覆度(surface coverage) に比 例す ると仮定す る. ある吸着状態 にN個/cm2の 吸着粒子があ る場 合, n 個/cm2secの フラ ックスの電子線 による表面被覆 度の時 間変化 の割合 は再吸着 を無視す ると, ( 1 ) で与 え られ る.こ こでQは 電子衝 撃過程の 全 断 面 積 (cm2)と 呼ぶ. (1)式を積分す る と, ( 2 ) となる.こ こでJは 電子電流密度(A/cm2),eは 電子 の電荷(C),N(t)は 電子衝撃 開始後時 間'(sec)に おける

Study of Solid Surfaces by Electron Impact Desorption Technique