English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Предметом  дослідження є оксидно-напівпровідникові конденсатори, які широко застосовуються у виробництві радіоелектронної апаратури.  Метою  дослідження є з'ясування основних причин відмов оксидно-напівпровідникових конденсаторів на стадії виробництва і в експлуатації. З цією метою побудовані аналоги плоских плівкових конденсаторів, які представляли різні виробничі і експлуатаційні ситуації (включаючи діелектричний пробій); були виявлені структури окремих шарів конденсаторів, їх хімічні та фазові формули і електричні властивості. Оскільки конденсаторні аноди мають пористу структуру і не піддаються звичайним методам дослідження плоских об'єктів, ми використовували метод моделювання. Моделюються дані порівнювалися з відповідними значеннями, виміряними на конденсаторах, які не спрацьовували при роботі або тестуванні. У процесі дослідження вирішено такі  завдання : розглянуті фізичні явища, що відбуваються в конденсаторах при впливі різних факторів, що з'являються в процесі виробництва. Показано, що окислювально-відновні процеси призводять до погіршення стану конденсаторів. Встановлено, що основні причини деградації конденсаторів мають термодинамічний характер і вони зменшують час життя конденсаторів. Розроблено технологічні операції, які значно зменшують або виключають розглянуті види відмов. До них відносяться основні операції технологічного процесу. Легування анодів конденсаторів азотом. Ця операція виконується одночасно зі спіканням пористих анодів і сприяє підвищенню часу життя, робочих температур і зворотної напруги конденсаторів. Вирощування багатошарового діелектрика шляхом циклічної зміни формули електроліту, де відбувається анодування. Формування щільного катода шляхом застосування альтернативного електричного поля при просочуванні пористих анодів. Просочування органічним кремнієм секцій конденсаторів. При цьому створюється щільна водонепроникна плівка, яка блокує ділянки вільного діелектричного контакту з діоксидом марганцю і забезпечує хороше зчеплення захисної органічної плівки з секцією. У роботі використані  методи : зондування електронним пучком, оже-спектроскопія і мікрозондового вимірювання.

METHODS OF FAILURE DIAGNOSTICS OF TANTALUM OXIDE-SEMICONDUCTOR CAPACITORS WITH SOLID DIELECTRIC