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Se presentan los calculos teoricos de la energia y la funcion de onda del estado base y primer estado excitado de un electron confinado en un pozo cuantico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximacion de masa efectiva y el metodo de funcion de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parametros que definen la geometria del potencial de Morse para representar la inter-difusion entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificacion optica no lineal en funcion de la energia de los fotones incidentes y su resonancia con la energia de transicion entre los dos estados. Se aplica un campo electrico en la direccion de crecimiento del pozo cuantico y un campo magnetico perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta optica en el espectro de los fotones incidentes.

POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES