English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Оценивается надежность однократно программируемых постоянно запоминающих устройств (ОППЗУ), реализованных на технологии HCMOS8D с топологическими нормами 180 нм, разработанных для интеграции в базовый кристалл серии 5521ТР. На основе базовых слоев технологии HCMOS8D разработана структура и конструкция программируемых с помощью механизма электромиграции элементов ОППЗУ – перемычек (eFuse) на основе слоев n+-поликремния и силицида никеля. Разработана методика оценки надежности разработанных eFuse для ячеек памяти базового кристалла серии 5521ТР. Показано, что eFuse сохраняет остаточное сопротивление в заданных пределах в течение всего срока эксплуатации.

nanoindustriâ

Оценка надежности однократно программируемых постоянно запоминающих устройств, созданных на основе программируемых с помощью механизма электромиграции перемычек (eFuse)