English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

При изготовлении трехмерных структур с применением технологии формирования глубоких отверстий в кремнии, а также при изготовлении микроэлектромеханических систем широкое распространение получил процесс глубокого анизотропного травления кремния с применением попеременных процессов травления и пассивации. Суть процесса заключается в чередовании стадий реактивно-ионного травления поверхности кремния (как правило, в SF6) и пассивации поверхности (как правило, с применением C4F8). При этом на стадии травления пассивирующий слой удаляется со дна канавок быстрее, чем со стенок, что в итоге позволяет получить анизотропность процесса травления. К преимуществам процесса можно отнести: проведение процесса при комнатных температурах, высокую селективность к фоторезисту (около 80:1 и более), получение структур с аспектным отношением до 30:1, скорость травления до 20 мкм/мин, а также контролируемый профиль травления. Основным недостатком процесса является шероховатость стенок в связи с цикличностью процесса. Цель данной работы – создание реактора для глубокого плазмохимического травления кремния на пластинах диаметром до 200 мм, аналогичного по своим характеристикам импортному, и разработка технологии глубокого травления кремния для ее применения в изготовлении трехмерных TSV-структур.

Новое оборудование для травления кремниевых структур на пластинах диаметром до 200 мм