English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Plus monthly

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Free Plan

Исследованы спектры электролюминесценции и зависимости напряжения холостого хода от фотогенерированного тока для GaAs-солнечных элементов, p−n-переход которых содержал различное количество рядов (r ) квантовых объектов на основе слоев In0.4Ga0.6As. Для всех образцов получены значения тока насыщения (J0), ширины запрещенной зоны квантового объекта (E g ) и падения напряжения холостого хода (1Voc) относительно реферного (r = 0) образца. Предложена модель, адекватно описывающая зависимости J0(r ) и 1Voc(r ), и найдены модельные параметры, в том числе токовый инвариант Jz = 1.4 · 10 A/cm, однозначно связывающий ток насыщения с шириной запрещенной зоны квантового объекта.

Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей