English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Моделируется влияние формы канала вертикального полевого транзистора с изолированным затвором на амплитуду случайного телеграфного шума, индуцированного единичным зарядом, встроенным на граничных ловушках. Рассматриваются транзисторы с прямоугольным и трапециевидным поперечным сечением канала. Показано, что при встраивании единичного граничного заряда в потолке канала в подпороговой области напряжений на затворе амплитуда шума для транзистора с трапециевидным поперечным сечением меньше, чем для транзистора с прямоугольным сечением. Однако при встраивании единичного заряда в середине боковой поверхности канала амплитуда случайного телеграфного шума существенно больше для трапециевидного сечения.

Влияние единичного граничного ловушечного заряда на подпороговый ток стока FinFET-транзистора с различной формой канала