English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Регулярные ориентированные микроструктуры (диэлектрические, металлические, а также композитные) перспективны для создания и использования в качестве элементов устройств управления оптическим излучением и хранения информации [1,2]. Такие структуры можно получить в результате синтеза с использованием в качестве несущих элементов предварительно подготовленных полимерных пленок. Создание в пленках каналов или контейнеров может быть проведено в результате облучения на циклотроне тяжелыми ионами или на синхротроне жестким рентгеновским излучением через маску с калиброванными отверстиями с последующим травлением [3,4]. Идентичность и регулярность размеров создаваемых в пленках микроструктур является важным критерием возможности их практического применения. Задача настоящей работы состоит в получении регулярных, в том числе несквозных, пор в пленке полиэтилентерефталата (ПЭТФ) толщиной 10μm с использованием синхротронного излучения, а также исследовании возможности создания диэлектрических и металлических микроструктур на их основе. Использовалось синхротронное излучение рентгеновского диапазона, генерируемое ускорителем электронов ВЭПП-3 и выводимое в ” 0“-канал, соединенный со станцией рентгеновской литографии. Экспозиционная доза 36 000mA/min, энергия электронов 1.2 GeV, максимум на длине волны 3.5 A. Доза поглощенного излучения в центре пучка составляла около 61 kJ/cm на лицевой и 52 kJ/cm на тыльной стороне пленки. Локальная модификация пленки ПЭТФ (формирование скрытого изображения) с целью получения пор проводилась посредством облучения через рентгеновскую маску, представляющую собой двумерный массив сквозных микроотверстий в танталовой мембране толщиной 2μm [3]. Плотность пор определялась параметрами маски и составляла 10 cm. Микроотверстия диаметром 0.5μm распределялись регулярно по двум координатам в плоскости маски и были скомпонованы в поля квадратной формы размером 3× 3mm, расстояние между центрами отверстий маски 2.9μm. Поля отстояли друг от друга на расстояние 1mm по обеим координатам. Кассета с зафиксированными исходными пленками и маской была ориентирована перпендикулярно направлению падающего луча синхротронного излучения, диаметр облученной зоны составлял 16mm. Выявление треков проводилось путем травления пленки в 10% водном растворе NaOH при температуре 60◦С в течение 30min, после чего она промывалась в дистиллированной воде. Для изучения морфологии, геометрических параметров пленок и элементного состава полученных микроструктур применялся растровый электронный микроскоп (РЭМ) FEI Scios (30 kV) и РЭМ FEI Quanta 200 3D (30 kV) с энергодисперсионным детектором EDAX. Специальная пробоподготовка не проводилась. На рис. 1 представлены микрофотографии поверхности и скола пленки. С целью изучения внутренней микроструктуры применялся метод предварительного УФ-облучения [5], который позволил сделать ее более хрупкой и произвести ровный скол по центру пор. Из рис. 1, а следует, что диаметр пор составляет около 1.4μm, что больше величин, характерных для пор на рентгеновской маске. Поскольку принудительное перемешивание раствора в процессе травления не применялось, скорость травления определяется диффузионной компонентой, которая равновероятна во всех направлениях в объеме облученной зоны и зависит только от величины дозы. Как следствие, наблюдается растравливание облученной зоны по причине диссипации энергии в область геометрической тени микроотверстий, находящихся на рентгеновской маске, что обусловлено возникновением фотоэлектронов и дифракцией рентгеновского излучения на краях облученной зоны пленки. Рис. 1, b показывает, что облученные и протравленные зоны имеют шероховатую, а не гладкую поверхность.

Регулярные микроструктуры на основе пленок полиэтилентерефталата