English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

В последнее время достигнут значительный прогресс в совершенствовании оптоэлектронных и электронных приборов на основе нитридных материалов; при этом механизмы деградации полупроводниковых светодиодов и лазеров и возможности их нейтрализации вызывают исследовательский интерес, поскольку в литературе нет единого представления об этих процессах. В литературе деградацию светодиодов связывают с образованием дефектов как в самих активных областях [1,2], так и в области барьеров к ним [3,4]. В первую очередь это дефекты, ответственные за безызлучательную рекомбинацию; увеличение дефектов в барьерах сокращает конфайнмент носителей заряда в квантовой яме и способствует их перетеканию из нее при больших уровнях инжекции [5]. В долговременной деградации важную роль играет миграция примесей, таких как H и Mg, в активную область [1,6] или по направлению к активной области [4]. Высокая плотность дефектов обусловливает увеличенный уровень токового шума. В транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT-транзисторах) на основе GaN увеличение плотности шума сопровождает рост туннельного тока утечки затвора на основе барьера Шоттки [7]. Низкочастотный шум является чувствительным индикатором деградационных процессов в полупроводниках. Избыточный уровень шума содержит информацию о степени и скорости деградации твердотельных электронных приборов [8]. По измерениям его мощности и спектрального состава прогнозируют их надежность. В InGaN/GaN светодиодах деградация при номинальном токе проявляется в падении оптической мощности и внешней квантовой эффективности, которая сопровождалась ростом плотности токового шума [9,10], что предполагает общую физическую природу этих процессов. Целью настоящей работы являлось изучение процессов начальной стадии деградации cветодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN. Для имитации деградации параметров светодиодов в рабочем режиме использовалось ускоренное старение. Для этого светодиоды при прямом смещении подвергались воздействию токами от 60 до 170mA, приводящему одновременно к джоулеву разогреву. Была обнаружена обратимость процесса старения: после падения эффективности наблюдалось ее увеличение на 20% по сравнению с исходной величиной и возврат к начальным значениям при хранении на воздухе при комнатных температурах. Рост эффективности светодиодов сопровождался возрастанием плотности токового шума [11]. Подобная двойственная связь изменения эффективности и низкочастотного шума допускает метастабильность образующихся дефектов и позволяет исследовать возможности воздействия на спектр дефектов с целью уменьшения скорости безызлучательной рекомбинации, сохранения эффективности, увеличения срока службы светодиодов.

žurnal tehničeskoj fiziki

Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности