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Empleando un esquema de calculo tight-binding que usa una base de orbitales sp 3 s * d 5 ,  se estudian propiedades de la estructura electronica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de interes para la tecnologia de dispositivos electronicos y optoelectronicos.  En especifico, se analiza la influencia sobre estas propiedades de una tension aplicada segun la direccion cristalografica [111],  haciendo uso de una formulacion presentada en la primera parte del trabajo [Mora-Ramos 2009]. Especial atencion se presta a la inclusion del efecto de deformacion interna de la red cristalina. Para cada material de los estudiados presentamos las dependencias de las brechas energeticas asociadas a los puntos Γ, X y L de la zona de Brillouin como funciones de la tension uniaxial en AlP, InP, AlSb, GaSb, InSb.  Asimismo, reportamos expresiones de ajuste para los valores de las principales brechas energeticas en esos cinco materiales. Se detecta una fuerte dependencia no lineal de estas magnitudes, asi como de las masas efectivas de conduccion, con la tension.

nova scientia

Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]; un enfoque según el método tight-binding: II. Antimoniuros y Fosfuros