English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Plus annual

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools annual

Global: Zendy Free Plan

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Termal buharlastirma yontemiyle imal edilen Zr/SiO2/p-Si Schottky diyotlarin kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) ve iletkenlik-gerilim-frekans (G-V-f) olcumleri 500 kHz - 3 MHz araliginda 5 farkli frekansta ve oda sicakliginda alinmistir. 1 MHz frekans icin C-V karakteristigi yardimiyla arayuzey oksit tabakasinin kalinligi 2.33 nm olarak hesaplanmistir. Guclu birikim bolgesindeki C ve G degerleri kullanilarak seri direncin ortalama degeri 70.5 Ω olarak elde edilmistir. Bu diyotlar icin, Hill-Coleman metodu ile hesaplanan arayuzey durum yogunlugunun (Dit) artan frekansla azaldigi gorulmustur. Elde edilen bulgulara gore, Zr/SiO2/p-Si Schottky diyotlari hizli anahtarlama icin umut vaat edicidir.

Doğal Oksit Arayüzey Tabakalı Zr/p-Si Schottky Diyotlarının Yüksek Frekanslarda Kapasite-Gerilim ve İletkenlik-Gerilim Karakteristiklerinin Analizi