English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Tools annual

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Global: Zendy Plus annual

Global: Zendy Free Plan

Gunumuz elektronik teknolojisinde ve elektronik sanayinde cok fazla kullanilan Schottky kontaklar genis bir uygulama alanina ve onemli bir yere sahiptir. Bu sebeple bu elemanlar uzerinde cok fazla durulmasi gerekir ve bircok arastirmanin da konusu olmustur. Diyodun tavlama ve numune sicakligiyla karakteristik parametrelerinin degisip degismediginin degisimini gormek icin diyotlarin tavlamaya ve numune sicakligina bagli akim-gerilim karakteristikleri incelendi. Yapilan hesaplamalar sonucunda tavlanmamis diyot icin oda sicakliginda idealite faktoru ve engel yuksekligi I-V olcumlerinden sirasiyla 1,15 ve 0,74 eV degerleri elde edildi. Yine 200 0 C tavlanmis diyot icin oda sicakliginda idealite faktoru ve engel yuksekligi sirasiyla 1,11 ve 0,73 eV olarak hesaplanmistir. Buna gore tavlama neticesinde diyot tavlama sicakligina bagli olarak daha kararli hale geldigi soylenebilir. Bu durum, metal yariiletken arayuzeyindeki istenmeyen fazlarin tavlama sicakligina bagli olarak azaldiginin veya buyuk olcude yok oldugunun bir kanitidir. Au/n-Si/Al Schottky diyotlarin oda sicakliginda tavlanmadan once ve 200 0 C’de tavlandiktan sonra seri direnc ve engel yuksekligi degerleri Norde Fonksiyonlari kullanilarak hesaplandi.

The Effects of Thermal Annealing and Sample Temperature on Current-Voltage Characteristics of Au/n-Si/Al Schottky Diodes