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Neste trabalho sao estudados e apresentados os resultados da deposicao e caracterizacao de filmes finos de oxido de zinco (ZnO), obtidos atraves da tecnica de pulverizacao catodica por plasma de radiofrequencia (do ingles RF sputtering) realizadas a temperatura ambiente (entre 25 oC a 30 oC) sobre substratos de vidro. O objetivo deste trabalho e o de desenvolver uma sequencia de deposicao controlada dos filmes, variando-se e correlacionando-se todos os parâmetros de processo envolvidos na mesma, tais como: pressao de processo, taxa e tempo de deposicao, vazao e composicao dos gases de processo, tensao de auto-polarizacao entre alvo e substrato, a fim de se garantir a reprodutibilidade do processo, obtendo por meio deste, filmes com espessura e fase cristalina bem definidas, de alta transparencia na faixa do visivel visando principalmente a aplicacao em dispositivos optoeletronicos. Os filmes foram caracterizados atraves das tecnicas de difracao de raios-X (DRX) para obtencao das fases cristalinas, da espectrofotometria na faixa do UV-visivel para determinar os niveis de transmitância e o band gap optico dos filmes, da microscopia eletronica de varredura (MEV) para revelar a morfologia dos filmes e da perfilometria mecânica para medir as respectivas espessuras. Os resultados obtidos evidenciaram bons resultados para transmitância na faixa do UV-visivel (superior a 90%). O band gap optico de todas esta de acordo com os valores esperados para filmes de ZnO. A difracao de raios-X juntamente com as imagens de MEV revelaram a forte influencia da presenca de oxigenio na mistura gasosa de deposicao sobre a qualidade da morfologia e cristalinidade das amostras.

Filmes finos de óxido de zinco depositados por RF-magnetron sputtering na presença de oxigênio