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Filmes finos de gadolinio (Gd) foram depositados em substratos de silicio (Si) via triodo magnetron sputtering (TMS) com corrente constante de 0,50 A em atmosfera de argonio sob pressao de 0,40 Pa sem uso de aquecimento externo. Diferentes condicoes de deposicao foram aplicadas ao substrato: potencial flutuante (1,1 V), polarizacao negativa (-15, -30 e -50 V), polarizacao positiva (5, 10 e 15 V) e substrato aterrado. Uma deposicao com magnetron sputtering convencional tambem foi realizada em potencial flutuante (-16 V). As espessuras, medidas por perfilometria, foram da ordem de 0,9 ?m. A estrutura cristalina e a morfologia dos filmes foram estudados por difracao de raios-X (DRX) com ângulo rasante e microscopia de forca atomica (MFA), respectivamente. Observa-se que a polarizacao positiva leva a uma corrente maior comparada a aplicacao de uma polarizacao negativa. As imagens de MFA mostram que as superficies dos filmes tem “graos” alongados sem diferenca significativa entre as amostras de diferentes polarizacoes. Os espectros de DRX apresentaram as mesmas caracteristicas para todos os filmes. Portanto, as diferentes polarizacoes nao causam mudancas significativas na morfologia e cristalinidade dos filmes. Medidas das propriedades eletricas como resistividade, concentracao de portadores, mobilidade eletronica e magnetorresistencia pela tecnica de van der Pauw apresentaram resultados ligeiramente distintos para cada polarizacao.

Filmes de gadolínio depositados por magnetron sputtering sobre Si em diferentes potenciais de polarização