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As heterojuncoes de SiC em isolante, conhecidas como SiCOI (SiC-on-insulator), ao combinar as vantagens do SiC e do substrato de Si mostram-se interessantes para aplicacoes em altas temperaturas, alta potencia, altas frequencias, sensores inteligentes, e aplicacoes micro-mecânicas. Neste trabalho pesquisamos as propriedades de filmes finos de carbeto de silicio amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) depositado por PECVD em substratos de silicio e silicio coberto por uma camada isolante, antes e apos o recozimento termico para a cristalizacao do filme. Devido a seu grande interesse em aplicacoes optoeletronicas foram pesquisadas quatro tipos de isolantes diferentes: SiO2 termico obtido a altas temperaturas (1100 oC), SiO2, SiOxNy, e Si3N4 obtidos por PECVD a baixa temperatura (320 oC). A analise de infravermelho nas amostras como depositadas mostra que o filme depositado em substrato de silicio coberto por Si3N4 possui uma melhor coordenacao entre os atomos de Si e C. O recozimento termico realizado conduz a cristalizacao de todos os filmes amorfos depositados. As medidas Raman exibem a vibracao referente ao C-C somente para os filmes depositados sobre isolantes PECVD, depois de recozidos. Os resultados da analise de DRX mostram que os filmes depositados em substrato de Si(100) e Si(100) coberto com SiO2 termico apresentam orientacao cristalina preferencial na direcao (100), enquanto os filmes depositados em substrato de silicio coberto com isolantes PECVD apresentam uma banda larga associada com a difracao do H-SiC(10L) e do 3C-SiC(111).

Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication