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Para o caso de crescimentos transientes de filmes de passiva ção em condições galvanostáticas foram formuladas e resolvidas, por método numérico, equações diferenciais descrevendo a varia ção das concentrações de defeitos em filmes ultra-finos. Nas equa ções levou-se em conta a inje ção de defeitos, a recombinação de alguns destes e o aumento na espessura do filme. Nos resultados das simulações as concentrações passam por um máximo durante o crescimento, com este máximo aumentando com a corrente e tornando-se independente da mesma para altos valores desta. Para que se obtenham valores razoáveis da concentração de defeitos nos filmes, o trabalho mostra que nem toda a corrente deve ser utilizada para a gera ção de defeitos. Nessas condições, os cálculos mostram que a resistividade i ônica específica nos filmes passa por um mínimo com o aumento de sua espessura e o sobrepotencial neles varia quase linearmente com a mesma. A an álise dos transientes leva à idéia de que a constante de velocidade de recombina ção de defeitos poderia depender da densidade de corrente utilizada. Todos estes dados s ão analisados e discutidos do ponto de vista físico. Differential equations describing the evolution of defect concentrations inside ultra-thin films are developed and numerically resolved for the growth of passivating films under transient galvanostatic conditions. For this, the injection and recombination of defects together with the increase of the film thickness are taken into account. In the simulation, the defect concentrations pass through a maximum during the growth and increase with the current, becoming independent of it for higher values. To obtain reasonable values of defect concentrations the work shows the need to consider that only a part of the current is used in defect generation. For the film, the specific ionic resistivity passes through a minimum and the overpotential increases almost linearly with thickness. Analysis of the transients leads to the idea that the recombination rate constant can depend on the current density. All these aspects are analyzed and discussed from a physical point of view.

Simulation of ionic resistivity of ultra-thin passivating films on metals during their galvanostatic transient growth