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Ein Magnetdrahtspeicher für den Einsatz in kommerziellen D V-Anlagen wird beschrieben. Er bietet bei einer Modulkapazität von 128 kB die Zugriffszeit 125 ns, die Lesezykluszeit 150 ns (nichtlöschendes Lesen) und die Schreibzykluszeit 200 ns. Unter Verwendung von CuBe-Trägerdraht wird der Magnetschichtdraht in weitgehend automatisierten Beschichtungsanlagen mit Ausbeuten bis zu 70% im Dauerbetrieb hergestellt. Sorgfältig ausgearbeitete und geprüfte Drahteigenschaften führen zusammen mit einem elektrisch vorteilhaften Matrixaufbau zu günstigen Betriebswerten der Speichermatrizen: Wortstrom 550 mA 10%, Bitstrom ~ 40 mA ± 10%, Lesesignale > 6 mV. Die Speicherelektronik enthält TransistorWortauswahl-Matrizen und monolithisch integrierte Koppelpunkte zur Auswahl der Drähte. Eine Matrix speichert 16 kB, eine konstruktive Einheit 32 kB. Vier Einheiten bilden einen Modul mit selbständiger Speicherelektronik. Ein Modul nimmt die Leistung von 950 W auf und arbeitet im Temperaturbereich von O^C bis SO^C.

Ein Magnetspeicher hoher Kapazität und kurzer Zykluszeit / A platet-wire memory of high capacity and short cycle time