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Ein Halbleiterkristall — meist Germanium oder Silizium — mit vier abwechselnd pund n-dotierten Zonen (p-Emitter a, η-Basis g, p-Basis b, η-Emit ter c)) bildet einen Vierschicht-Halbleiter. Sind beide Randzonen mit Anschlüssen versehen, bezeichnet man das Element als Vierschichtdiode, Kippdiode oder Dynistor (Bild 1, 2) [1—7, 22—26], Die Kennlinie einer Vierschichtdiode setzt sich für Uac ^ 0 aus je einem Sperrbereich s(s'), einem negativen Bereich

Steuerbare Vierschicht-Halbleiter und ihre Verwendung als Binärspeicher/Controlled four-layer switches and their application for binary storage