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Bei der Bildung von Schichteinlagerungsverbindungen nimmt Hydrazin als Gastkomponente eine gewisse Sonderstellung ein. Es zeichnet sich dadurch aus, daß die kinetischen Hemmungen für die Einlagerung gering sind und daher die Reaktion besonders rasch erfolgt 1 _ 3 . Dieses Verhalten wurde nun auch bei der Bildung von Einlagerungsverbindungen mit den Schichtgittern von TiSe2 , ZrS2 , ZrSe2 , HfS2 , VSe2 , NbS2 , NbSe2 , TaS2 und TaSe2 beobachtet. Die Reaktion der genannten fein zerteilten Dichalkogenide ( 0 <C 0,05 mm) mit wäßrigen Hydrazinlösungen verläuft häufig bereits innerhalb 10 — 20 sec quantitativ; die damit verbundene Schichtaufweitung läßt sich röntgenographisch verfolgen. Die Reaktion ist mit einer starken Volumzunahme der festen Phase verbunden. Das Fortschreiten der Reaktion kann deshalb an Einkristallen unter dem Lichtmikroskop gut verfolgt werden. Die Reaktionsfront bewegt sich dabei — ausgehend von den Prismenflächen der meist hexagonal begrenzten, blättchenförmigen Kristalle — zunächst parallel zu den Kristallkanten, später ringförmig auf das Kristallzentrum zu. An einigen Sulfidphasen wird allerdings eine auffallende Abweichung von diesem Reaktionsverlauf beobachtet: die Reaktion beginnt hier ausschließlich von einer einzigen Kristallkante her und schreitet von dort aus mit linearer oder leicht konkaver Reaktionsfront nach dem entgegengesetzten Ende des Kristalles fort. Ein eindeutiger Zusammenhang dieser beiden Mechanismen mit dem Kristalldurchmesser oder den Gitterfehlern konnte bisher noch nicht nachgewiesen werden.

zeitschrift für naturforschung b

Notizen: Schichteinlagerungsverbindungen von Übergangsmetalldichalkogeniden mit Hydrazin und alkylsubstituierten Hydrazinen / Layer Intercalation Compounds of Transition Metal Dichalcogenides with Hydrazine and Alkylsubstituted Hydrazines