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Bei der theoretischen Deutung der Ladungsträgervervielfachung in Halbleitern durch starke elektrische Felder im Helium-Temperaturbereich geht man davon aus, daß in den Kristallen eine homogene Feldverteilung vorliegt. Diese Voraussetzung wurde experimentell bisher nur indirekt bestätigt.

Experimentelle Untersuchung der Potentialverteilung in Germanium-Einkristallen im Bereich desTieftemperatur-Durchschlages