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Für einen elektronischen Digitalrechner wird ein Rechenverfahren beschrieben, das es gestattet, für homogene und feldfreie, aber sonst beliebige Halbleiter aus der Neutralitätsgleichung die Lage des FERMi-Niveaus für einen beliebig weiten Temperaturbereich (auch unter 1°K) mit großer Genauigkeit zu berechnen. Dabei wird die Temperaturabhängigkeit des Bandabstandes und der Störstellenniveaus berücksichtigt. Als Beispiel wird der Verlauf des FERMi-Niveaus für Silicium verschiedener Dotierung und für Wismut-Tellurid in einigen speziellen Fällen angegeben.

Verfahren zur Berechnung der Lage des FERMI-Niveaus in Halbleitern mit Hilfe eines elektronischen Digitalrechners *