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An eigenleitendem Silicium wurden im Temperaturbereich zwischen 300 und 1000°K Leitfähigkeit und Ultrarotabsorption gemessen, letztere zwischen 1,0 und 3,5 μ. Die Wellenlängenabhängigkeit entspricht der Drude-Zener-Fröhlichschen Theorie für die Absorption freier Ladungsträger. Dieser Theorie entsprechend wird durch die Quotientenbildung beider Meßwerte die zunächst unbekannte Trägerzahl eliminiert und quantitativ die Elektronenbeweglichkeit und ihre Temperaturabhängigkeit gewonnen (b E [cm 2 /V sec] =1,85· 10 6  T -1.5 ). Auch die sich daraus ergebende Trägerzahl (N E  [cm -3 ] =5,71 ·10 16  T 1,5  exp [ -1,16/2 k T]) stimmt mit der von anderen Autoren aus dem HALL-Effekt bestimmten überein. Die Theorie wird damit der experimentellen Absorption im Durchlaßbereich jenseits der Bandkante gerecht. Aus der Verschiebung der Bandkante mit der Temperatur wird die Temperaturabhängigkeit des Bandabstandes ermittelt.

Ultrarotes Spektrum und Trägerbeweglichkeit im Eigenleitungsbereich von Silicium