English (United Kingdom)

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/featured_content/oa?rat=en

https://curated-unify.zendy.io/wp-json/zendy-region/v1/highlighted_journal/

Global: Zendy Tools annual

Presents the keyphrase highlighting as premium feature

Keyphrase Highlighting

Presents the summarisation as premium feature

Summarisation

Insights

Presents the pdf analysis as premium feature

PDF Analysis

Presents the zaia usage as premium feature

ZAIA

Global: Zendy Tools monthly

Global: Zendy Plus monthly

Presents the access of premium content as premium feature

Premium Content

Global: Zendy Plus annual

Global: Zendy Free Plan

Telah dilakukan penelitian  untuk mendapatkan termoelemen termasuk mengetahui nilai dari parameter tegangan keluaran, daya keluaran dan efesiensi terbaik.  Nilai parameter diperoleh dari pengujian dan pemodelan modul termoelektrik generator. Modul termoelektrik generator disusun dari satu pasang semikonduktor tipe-p SbTe dan tipe-n BiTe. Pengujian dilakukan dengan rangkaian terbuka (tanpa beban) dan rangkaian tertutup (dengan beban) sebesar 1 Ω. Dari pengujian dihasilkan temperatur pada modul di sisi panas dan dingin, tegangan keluaran, dan daya keluaran modul TEG. Pengujian dilakukan dua kali pengulangan untuk rangkaian terbuka  dan tiga kali pengulangan untuk rangkaian tertutup. Selanjutnya, dilakukan pemodelan modul TEG dengan menggunakan software Ansys 19.2 Academic dan Solidworks 2013. Pemodelan juga dilakukan dengan rangkaian terbuka dan rangkaian tertutup dengan menggunakan nilai parameter seperti pada pengujian. Hasil pengujian dan pemodelan tegangan keluaran pengukuran tertinggi untuk rangkaian terbuka adalah 19 mV dan 19,2 mV dengan ∆T 100,77°C. Pengukuran rangkaian tertutup  menghasilkan tegangan 18,7 mV dan 19,1 mV pada ∆T 100,35°C.  Nilai efisiensi maksimum modul termoelektrik generator pengukuran pertama sebesar 2,75056% , pengukuran kedua sebesar 2,75127%, dan pengukuran ketiga sebesar 2,75204%.

Fabrikasi Modul Termoelektrik Generator (TEG) menggunakan Semikonduktor Tipe-p SbTe dan Tipe-n BiTe